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IPL60R104C7AUMA1

IPL60R104C7AUMA1 Infineon Technologies

infineonipl60r104c7dsv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
135+4.84 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.19 EUR
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Technische Details IPL60R104C7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 122W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPL60R104C7AUMA1 IPL60R104C7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl60r104c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL60R104C7AUMA1 IPL60R104C7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl60r104c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL60R104C7AUMA1 IPL60R104C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R104C7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 122W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 122W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.53 EUR
15+5.81 EUR
17+5.26 EUR
25+4.63 EUR
50+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IPL60R104C7AUMA1 IPL60R104C7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl60r104c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.21 EUR
28+6.31 EUR
100+4.57 EUR
1000+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IPL60R104C7AUMA1 IPL60R104C7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl60r104c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.21 EUR
28+6.16 EUR
100+4.39 EUR
1000+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IPL60R104C7AUMA1 IPL60R104C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R104C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b46442265987 Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.26 EUR
10+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPL60R104C7AUMA1 IPL60R104C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R104C7-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.36 EUR
10+8.76 EUR
100+6.45 EUR
500+5.74 EUR
1000+5.43 EUR
3000+5.13 EUR
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IPL60R104C7AUMA1 IPL60R104C7AUMA1 INFINEON 2712215.pdf Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.11 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPL60R104C7AUMA1 IPL60R104C7AUMA1 INFINEON 2712215.pdf Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.11 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 122W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 122W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+7.53 EUR
15+5.81 EUR
17+5.26 EUR
25+4.63 EUR
50+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+8.21 EUR
28+6.31 EUR
100+4.57 EUR
1000+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IPL60R104C7AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+8.21 EUR
28+6.16 EUR
100+4.39 EUR
1000+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IPL60R104C7AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.26 EUR
10+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPL60R104C7AUMA1 Infineon-IPL60R104C7-DS-v02_01-EN.pdf
IPL60R104C7AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.36 EUR
10+8.76 EUR
100+6.45 EUR
500+5.74 EUR
1000+5.43 EUR
3000+5.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPL60R104C7AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.11 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R104C7AUMA1 2712215.pdf
IPL60R104C7AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.11 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH