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IPL60R185C7AUMA1

IPL60R185C7AUMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
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Technische Details IPL60R185C7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 77W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPL60R185C7AUMA1 IPL60R185C7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl60r185c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
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IPL60R185C7AUMA1 IPL60R185C7AUMA1 INFINEON Infineon-IPL60R185C7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b42d65c55913 Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
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IPL60R185C7AUMA1 IPL60R185C7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl60r185c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
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IPL60R185C7AUMA1 IPL60R185C7AUMA1 INFINEON Infineon-IPL60R185C7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b42d65c55913 Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
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IPL60R185C7AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
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IPL60R185C7AUMA1
Hersteller: INFINEON
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
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Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
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IPL60R185C7AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
auf Bestellung 141 Stücke:
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