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IPL60R185CFD7AUMA1

IPL60R185CFD7AUMA1 INFINEON

INFN-S-A0004163162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 1944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.08 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details IPL60R185CFD7AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 85W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPL60R185CFD7AUMA1 IPL60R185CFD7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r185cfd7-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+3.13 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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IPL60R185CFD7AUMA1 IPL60R185CFD7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r185cfd7-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R
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IPL60R185CFD7AUMA1 IPL60R185CFD7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r185cfd7-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 8950 Stücke:
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35+5.07 EUR
55+3.17 EUR
100+2.5 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.08 EUR
3000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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1000+1.92 EUR
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1+6.95 EUR
10+4.55 EUR
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500+2.76 EUR
1000+2.57 EUR
3000+2.4 EUR
6000+2.39 EUR
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IPL60R185CFD7AUMA1 IPL60R185CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R185CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ea3bcb41d31af Description: MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
auf Bestellung 1253 Stücke:
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3+7.03 EUR
10+4.59 EUR
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IPL60R185CFD7AUMA1 IPL60R185CFD7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0004163162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
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Trans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R
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Description: MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
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Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
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Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
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IPL60R185CFD7AUMA1 INFN-S-A0004163162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL60R185CFD7AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
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