IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 6.59 EUR |
| 25+ | 5.44 EUR |
| 100+ | 5.09 EUR |
| 250+ | 4.75 EUR |
| 500+ | 4.42 EUR |
| 1000+ | 4.1 EUR |
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Technische Details IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 169W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPL65R070C7AUMA1 nach Preis ab 4.1 EUR bis 13.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IPL65R070C7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 1390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL65R070C7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 1717 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL65R070C7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 169W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V |
auf Bestellung 3137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPL65R070C7AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 169W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL65R070C7AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 169W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL65R070C7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPL65R070C7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 169W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V |
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IPL65R070C7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS |
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IPL65R070C7AUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 169W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 28A Power dissipation: 169W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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