IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 6.66 EUR |
| 25+ | 5.5 EUR |
| 100+ | 5.15 EUR |
| 250+ | 4.8 EUR |
| 500+ | 4.47 EUR |
| 1000+ | 4.15 EUR |
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Technische Details IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 169W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPL65R070C7AUMA1 nach Preis ab 4.71 EUR bis 13.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPL65R070C7AUMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 1390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL65R070C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 1717 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL65R070C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 169W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V |
auf Bestellung 3137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPL65R070C7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 169W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IPL65R070C7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 169W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPL65R070C7AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 6.66 EUR |
| 25+ | 5.72 EUR |
| 100+ | 5.44 EUR |
| 250+ | 5.2 EUR |
| 500+ | 4.97 EUR |
| 1000+ | 4.71 EUR |
| IPL65R070C7AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 8.95 EUR |
| 25+ | 8.45 EUR |
| 50+ | 7.95 EUR |
| 100+ | 7.51 EUR |
| 250+ | 7.17 EUR |
| 500+ | 6.87 EUR |
| 1000+ | 6.54 EUR |
| IPL65R070C7AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V
auf Bestellung 3137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 13.97 EUR |
| 10+ | 9.54 EUR |
| 100+ | 7.03 EUR |
| 500+ | 6.31 EUR |
| IPL65R070C7AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPL65R070C7AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)