IPL65R130C7 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 9.71 EUR |
| 25+ | 9.16 EUR |
| 50+ | 8.62 EUR |
| 100+ | 8.14 EUR |
| 250+ | 7.78 EUR |
| 500+ | 7.45 EUR |
| 1000+ | 7.09 EUR |
| 2500+ | 6.94 EUR |
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Technische Details IPL65R130C7 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 15A; Idm: 75A, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 15A, On-state resistance: 0.13Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 75A, Gate charge: 35nC.
Weitere Produktangebote IPL65R130C7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IPL65R130C7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 15A; Idm: 75A Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 75A Gate charge: 35nC |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPL65R130C7 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 15A; Idm: 75A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Gate charge: 35nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 15A; Idm: 75A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Gate charge: 35nC
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