IPL65R165CFDAUMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPL65R165CFDAUMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.165Ω, Drain current: 21.3A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 650V, Power dissipation: 195W, Technology: CoolMOS™, Case: PG-VSON-4, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IPL65R165CFDAUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.165Ω Drain current: 21.3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 650V Power dissipation: 195W Technology: CoolMOS™ Case: PG-VSON-4 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| IPL65R165CFDAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 4VSON |
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| IPL65R165CFDAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
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IPL65R165CFDAUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.165Ω Drain current: 21.3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 650V Power dissipation: 195W Technology: CoolMOS™ Case: PG-VSON-4 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
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