IPL65R165CFDAUMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPL65R165CFDAUMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: PG-VSON-4, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 21.3A, On-state resistance: 0.165Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 195W, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPL65R165CFDAUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 21.3A On-state resistance: 0.165Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 195W Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| IPL65R165CFDAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 4VSON |
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| IPL65R165CFDAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
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IPL65R165CFDAUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 21.3A On-state resistance: 0.165Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 195W |
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