IPL65R200CFD7AUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.91 EUR |
| 10+ | 3.2 EUR |
| 100+ | 2.22 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
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Technische Details IPL65R200CFD7AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL65R200CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.162 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 81W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 81W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.162ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPL65R200CFD7AUMA1 nach Preis ab 1.69 EUR bis 5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IPL65R200CFD7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
auf Bestellung 277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPL65R200CFD7AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R200CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.162 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL65R200CFD7AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R200CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.162 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 81W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.162ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL65R200CFD7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPL65R200CFD7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |