IPL65R340CFDAUMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.76 EUR |
| 10+ | 6.07 EUR |
| 100+ | 4.99 EUR |
| 500+ | 4.25 EUR |
| 1000+ | 3.72 EUR |
| 3000+ | 3.71 EUR |
| 6000+ | 3.69 EUR |
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Technische Details IPL65R340CFDAUMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.9A; 104.2W; PG-VSON-4, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 10.9A, Power dissipation: 104.2W, Case: PG-VSON-4, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.34Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote IPL65R340CFDAUMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IPL65R340CFDAUMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 10.9A THIN-PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPL65R340CFDAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.9A; 104.2W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.9A Power dissipation: 104.2W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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| IPL65R340CFDAUMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10.9A THIN-PAK
Description: MOSFET N-CH 650V 10.9A THIN-PAK
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| IPL65R340CFDAUMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.9A; 104.2W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.9A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.9A; 104.2W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.9A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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