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IPL65R460CFDAUMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPL65R460CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f41ed465d4e69
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 4VSON
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Technische Details IPL65R460CFDAUMA1 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 8.3A, Power dissipation: 83.3W, Case: PG-VSON-4, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.46Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPL65R460CFDAUMA1 IPL65R460CFDAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPL65R460CFD-DS-v02_01-EN-1226194.pdf MOSFET N-Ch 700V 8.3A VSON-5
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IPL65R460CFDAUMA1 IPL65R460CFDAUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R460CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 83.3W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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