IPL65R660E6AUMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 289+ | 1.88 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| 1000+ | 1.45 EUR |
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Technische Details IPL65R660E6AUMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 63W; PG-VSON-4, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 7A, Power dissipation: 63W, Case: PG-VSON-4, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.66Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote IPL65R660E6AUMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| IPL65R660E6AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 4VSON |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPL65R660E6AUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 63W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 63W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.66Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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