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IPL65R660E6AUMA1 Infineon Technologies

14879ds_ipl65r660e6_final_ds.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70f.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 4-Pin VSON EP T/R
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Technische Details IPL65R660E6AUMA1 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 63W; PG-VSON-4, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 7A, Power dissipation: 63W, Case: PG-VSON-4, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.66Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPL65R660E6AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL65R660E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b1d4c6280166 Description: MOSFET N-CH 4VSON
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IPL65R660E6AUMA1 IPL65R660E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R660E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 63W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 63W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPL65R660E6AUMA1 Infineon-IPL65R660E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b1d4c6280166
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 4VSON
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IPL65R660E6AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 63W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 63W
Case: PG-VSON-4
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On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
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