IPLK70R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
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Technische Details IPLK70R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, FET Type: N-Channel.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPLK70R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
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IPLK70R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPLK70R1K2P7ATMA1 |
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Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
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Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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MOSFETs LOW POWER_NEW
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