IPLK70R900P7ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
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Technische Details IPLK70R900P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPLK70R900P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPLK70R900P7ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPLK70R900P7ATMA1 |
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Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
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MOSFETs LOW POWER_NEW
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