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IPLU300N04S41R1XTMA1

IPLU300N04S41R1XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPLU300N04S4-1R1-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a4de4e2cb319a
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12090 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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4000+3 EUR
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Technische Details IPLU300N04S41R1XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPLU300N04S41R1XTMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1 Infineon Technologies 395infineon-iplu300n04s4-1r1-ds-v01_00-en.pdffileid5546d4624a0bf2900.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 209441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+3.57 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.08 EUR
10000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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auf Bestellung 2258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+3.57 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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auf Bestellung 26291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+3.57 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.08 EUR
10000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+3.57 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.08 EUR
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IPLU300N04S41R1XTMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1 INFINEON Infineon-IPLU300N04S4-1R1-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a4de4e2cb319a Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 1400 Stücke:
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28+6.44 EUR
35+4.97 EUR
100+3.53 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.44 EUR
35+4.86 EUR
100+3.4 EUR
500+3.02 EUR
1000+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12090 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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10+5.97 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.34 EUR
37+6.35 EUR
100+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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1+10.45 EUR
10+6.85 EUR
100+5.09 EUR
500+4.27 EUR
1000+3.96 EUR
2000+3.71 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 209441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
183+3.57 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.08 EUR
10000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
183+3.57 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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auf Bestellung 26291 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
183+3.57 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.08 EUR
10000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
183+3.57 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+6.44 EUR
35+4.97 EUR
100+3.53 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1400 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
28+6.44 EUR
35+4.86 EUR
100+3.4 EUR
500+3.02 EUR
1000+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12090 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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100+4.24 EUR
500+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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AnzahlPrivatkunde
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37+6.35 EUR
100+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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AnzahlPrivatkunde
1+10.45 EUR
10+6.85 EUR
100+5.09 EUR
500+4.27 EUR
1000+3.96 EUR
2000+3.71 EUR
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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