IPN60R600P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223; ESD
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 7W
Gate charge: 9nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 105+ | 0.82 EUR |
| 139+ | 0.62 EUR |
| 158+ | 0.54 EUR |
| 193+ | 0.44 EUR |
| 224+ | 0.38 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
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Technische Details IPN60R600P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223; ESD, Case: PG-SOT223, Mounting: SMD, Power dissipation: 7W, Gate charge: 9nC, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Technology: CoolMOS™ P7, Drain current: 4A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.6Ω.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IPN60R600P7S | Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPN60R600P7S |
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Hersteller: Infineon Technologies
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