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IPN60R600P7SATMA1

IPN60R600P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPN60R600P7S.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223; ESD
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 7W
Gate charge: 9nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
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Technische Details IPN60R600P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223; ESD, Case: PG-SOT223, Mounting: SMD, Power dissipation: 7W, Gate charge: 9nC, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Technology: CoolMOS™ P7, Drain current: 4A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.6Ω.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPN60R600P7S Infineon Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 TIPN60r600p7s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPN60R600P7S
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 TIPN60r600p7s
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