IPN70R360P7S Infineon Technologies


Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_02-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
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Technische Details IPN70R360P7S Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 7.5A, Power dissipation: 7.2W, Case: PG-SOT223, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 0.36Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 16.4nC, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7S.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
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