IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
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Technische Details IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 2.7A, Power dissipation: 7W, Case: PG-SOT223, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.4Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Gate charge: 10nC, Kind of package: reel.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IPN80R1K4P7 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 751 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IPN80R1K4P7 | Infineon Technologies | Infineon LOW POWER_NEW |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPN80R1K4P7 |
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
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| IPN80R1K4P7 |
Hersteller: Infineon Technologies
Infineon LOW POWER_NEW
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