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IPP011N04NF2SAKMA1

IPP011N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies


infineon-ipp011n04nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP011N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP011N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 940 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, Dauer-Drainstrom Id: 201A, hazardous: true, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IPP011N04NF2SAKMA1 IPP011N04NF2SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipp011n04nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP011N04NF2SAKMA1 IPP011N04NF2SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP011N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831709109e5b3e Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
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IPP011N04NF2SAKMA1 IPP011N04NF2SAKMA1 Hersteller : INFINEON 3795137.pdf Description: INFINEON - IPP011N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 940 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 201A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
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Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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