IPP013N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.45 EUR |
| 50+ | 2.07 EUR |
| 100+ | 1.99 EUR |
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Technische Details IPP013N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 1020 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, Dauer-Drainstrom Id: 197A, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1020µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP013N04NF2SAKMA1 nach Preis ab 2.18 EUR bis 7.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPP013N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
 MOSFETs IFX FET 40V |
auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP013N04NF2SAKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 1020 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V Dauer-Drainstrom Id: 197A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1020µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP013N04NF2SAKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
MOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.95 EUR |
| 10+ | 4 EUR |
| 100+ | 2.89 EUR |
| 500+ | 2.34 EUR |
| 1000+ | 2.18 EUR |
| IPP013N04NF2SAKMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 1020 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1020µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 1020 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1020µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 35+ | 7.22 EUR |