Weitere Produktangebote IPP015N04NF2SAKMA1 nach Preis ab 1.14 EUR bis 4.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IPP015N04NF2SAKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 188W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 193A Power dissipation: 188W Case: TO220-3 On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP015N04NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH PG-TO220-3 Packaging: Tube Part Status: Active |
auf Bestellung 2912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP015N04NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 40V |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP015N04NF2SAKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V Dauer-Drainstrom Id: 193A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP015N04NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP015N04NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| IRFB7440PBF Produktcode: 150169
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| IRLB8743PBF Produktcode: 124979
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5110/36
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5110/36
JHGF: THT
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| IRLB3813PBF Produktcode: 113437
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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| IR4427PBF Produktcode: 74249
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFZ44NPBF Produktcode: 35403
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
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1582 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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| 10+ | 0.28 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |