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IPP015N04NF2SAKMA1

Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3
Produktcode: 202345
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP015N04NF2SAKMA1 IPP015N04NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 193A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.42 EUR
39+2.23 EUR
45+1.93 EUR
47+1.82 EUR
51+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IPP015N04NF2SAKMA1 IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP015N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 3021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+3.44 EUR
100+2.62 EUR
500+2.23 EUR
1000+1.95 EUR
2000+1.86 EUR
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IPP015N04NF2SAKMA1 IPP015N04NF2SAKMA1 INFINEON Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3 Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.05 EUR
92+2.53 EUR
100+2.27 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IPP015N04NF2SAKMA1 IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3 Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.24 EUR
50+3.12 EUR
100+2.81 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3
IPP015N04NF2SAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 193A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
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AnzahlPrivatkunde
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39+2.23 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
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1000+1.95 EUR
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IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3
IPP015N04NF2SAKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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AnzahlPrivatkunde
42+6.05 EUR
92+2.53 EUR
100+2.27 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3
IPP015N04NF2SAKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
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50+3.12 EUR
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