Technische Details IPP018N10N5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 205A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP018N10N5XKSA1 nach Preis ab 6.75 EUR bis 13.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP018N10N5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 205A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
|
IPP018N10N5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
|
IPP018N10N5XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP018N10N5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 13.85 EUR |
| 100+ | 6.75 EUR |
| IPP018N10N5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPP018N10N5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



