IPP018N10N5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP018N10N5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 205A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP018N10N5XKSA1 nach Preis ab 5.80 EUR bis 11.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPP018N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V |
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IPP018N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP018N10N5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 205A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP018N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP018N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP018N10N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
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