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IPP019N06NF2SAKMA1

Infineon-IPP019N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60ac673c80
Produktcode: 202347
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP019N06NF2SAKMA1 IPP019N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies infineon-ipp019n06nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP019N06NF2SAKMA1 IPP019N06NF2SAKMA1 INFINEON 3770291.pdf Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPP019N06NF2SAKMA1 IPP019N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP019N06NF2S_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
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IPP019N06NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP019N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60ac673c80 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 185A; Idm: 33A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP019N06NF2SAKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 185A; Idm: 33A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
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