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IPP019N06NF2SAKMA1

Infineon-IPP019N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60ac673c80
Produktcode: 202347
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPP019N06NF2SAKMA1 IPP019N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP019N06NF2S_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
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IPP019N06NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP019N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60ac673c80 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 185A; Idm: 33A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPP019N06NF2SAKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 8709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+4.8 EUR
10+3.1 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 185A; Idm: 33A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
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