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IPP019N08NF2SAKMA1

IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies

infineon-ipp016n08nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 191A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IPP019N08NF2SAKMA1 IPP019N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP019N08NF2S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 764A
Gate charge: 124nC
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18+4.75 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IPP019N08NF2SAKMA1 IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
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IPP019N08NF2SAKMA1 IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
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IPP019N08NF2SAKMA1 IPP019N08NF2SAKMA1 INFINEON 3199854.pdf Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
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45+3.83 EUR
48+3.53 EUR
70+2.39 EUR
100+2.2 EUR
250+2.15 EUR
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 764A
Gate charge: 124nC
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18+4.75 EUR
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1+6.62 EUR
10+2.59 EUR
100+2.48 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
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