IPP020N06NXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.02 EUR |
| 10+ | 3.22 EUR |
| 50+ | 2.45 EUR |
| 100+ | 2.2 EUR |
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Technische Details IPP020N06NXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP020N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm.
Weitere Produktangebote IPP020N06NXKSA1 nach Preis ab 3.19 EUR bis 6.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP020N06NXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP020N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP020N06NXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 120A; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: 20V Mounting: THT Gate charge: 124nC |
auf Bestellung 8900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP020N06NXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP020N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
Description: INFINEON - IPP020N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.79 EUR |
| 45+ | 5.25 EUR |
| 100+ | 3.75 EUR |
| 500+ | 3.19 EUR |
| IPP020N06NXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 120A; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Gate charge: 124nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 120A; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Gate charge: 124nC
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)