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IPP020N08N5AKSA1

IPP020N08N5AKSA1 Infineon Technologies

8676ipp020n08n5_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6fileid.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP020N08N5AKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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50+4.72 EUR
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IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP020N08N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 11 Stücke:
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11+7.75 EUR
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auf Bestellung 500 Stücke:
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27+6.46 EUR
35+4.81 EUR
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IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP020N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd88c826204 Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.63 EUR
10+7.78 EUR
50+6.14 EUR
100+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP020N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd88c826204 MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.66 EUR
10+6.18 EUR
100+5.13 EUR
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IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 INFINEON Infineon-IPP020N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd88c826204 Description: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 650 Stücke:
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17+15.04 EUR
30+7.75 EUR
100+6.53 EUR
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Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPP020N08N5AKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
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44+3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IPP020N08N5AKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
36+4.9 EUR
50+4.72 EUR
100+4.59 EUR
500+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 11 Stücke:
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11+7.75 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.26 EUR
27+6.46 EUR
35+4.81 EUR
500+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IPP020N08N5AKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+11.63 EUR
10+7.78 EUR
50+6.14 EUR
100+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPP020N08N5AKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.66 EUR
10+6.18 EUR
100+5.13 EUR
500+4.94 EUR
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IPP020N08N5AKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.04 EUR
30+7.75 EUR
100+6.53 EUR
500+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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