IPP028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 158+ | 4.15 EUR |
| 500+ | 3.88 EUR |
| 1000+ | 3.58 EUR |
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Technische Details IPP028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP028N08N3GXKSA1 nach Preis ab 2.83 EUR bis 13.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 6748 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 6748 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 11500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP028N08N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon |
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auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP028N08N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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auf Bestellung 6748 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 7.89 EUR |
| 25+ | 7.58 EUR |
| 50+ | 4.8 EUR |
| 100+ | 4.39 EUR |
| 250+ | 4.28 EUR |
| 500+ | 3.26 EUR |
| IPP028N08N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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auf Bestellung 6748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 7.98 EUR |
| 23+ | 7.62 EUR |
| 25+ | 7.21 EUR |
| 50+ | 4.49 EUR |
| 100+ | 4.01 EUR |
| 250+ | 3.8 EUR |
| 500+ | 2.83 EUR |
| IPP028N08N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 12.03 EUR |
| IPP028N08N3GXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 19+ | 13.45 EUR |
| IPP028N08N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)



