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IPP030N06NF2SAKMA1

Infineon-IPP030N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60b8793c83
Produktcode: 202348
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPP030N06NF2SAKMA1 IPP030N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies infineonipp030n06nf2sdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
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IPP030N06NF2SAKMA1 IPP030N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies infineonipp030n06nf2sdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
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106+1.39 EUR
116+1.25 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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IPP030N06NF2SAKMA1 IPP030N06NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP030N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60b8793c83 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 119A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 3.05mΩ
Drain current: 119A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 150W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 106 Stücke:
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52+1.4 EUR
60+1.21 EUR
63+1.14 EUR
72+1 EUR
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IPP030N06NF2SAKMA1 IPP030N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP030N06NF2S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 1631 Stücke:
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2+2.78 EUR
10+1.33 EUR
100+1.19 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPP030N06NF2SAKMA1 IPP030N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP030N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60b8793c83 Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
auf Bestellung 603 Stücke:
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50+1.45 EUR
100+1.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPP030N06NF2SAKMA1 IPP030N06NF2SAKMA1 INFINEON 3770290.pdf Description: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 950 Stücke:
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IPP030N06NF2SAKMA1 infineonipp030n06nf2sdatasheetv0203en.pdf
IPP030N06NF2SAKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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AnzahlPreis
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 119A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 3.05mΩ
Drain current: 119A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 150W
Kind of channel: enhancement
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MOSFETs IFX FET 60V
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IPP030N06NF2SAKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
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IPP030N06NF2SAKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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