IPP034N08N5AKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP034N08N5AKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP034N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPP034N08N5AKSA1 nach Preis ab 1.67 EUR bis 4.8 EUR
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IPP034N08N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP034N08N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP034N08N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V |
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IPP034N08N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3 |
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IPP034N08N5AKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP034N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPP034N08N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP034N08N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP034N08N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP034N08N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| IPP034N08N5AKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP034N08N5AKSA1 THT N channel transistors |
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