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IPP034N08N5AKSA1

IPP034N08N5AKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp034n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624ad04ef9014ade.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP034N08N5AKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP034N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
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IPP034N08N5AKSA1 IPP034N08N5AKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP034N08N5_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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rohsCompliant: YES
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Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
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Description: INFINEON - IPP034N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
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hazardous: false
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Qualifikation: -
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
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Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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