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IPP039N04LGXKSA1

IPB039N04L_rev1.2.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f14ac947132
Produktcode: 202351
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 Infineon Technologies 404ipb039n04l_rev1.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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500+1.06 EUR
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IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 Infineon Technologies 404ipb039n04l_rev1.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 156 Stücke:
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105+1.67 EUR
125+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 Infineon Technologies 404ipb039n04l_rev1.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 156 Stücke:
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89+1.96 EUR
104+1.62 EUR
124+1.31 EUR
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IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 INFINEON IPB039N04L_rev1.2.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f14ac947132 Description: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1782 Stücke:
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63+3.97 EUR
85+2.76 EUR
113+1.9 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.46 EUR
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IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP039N04LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 20 Stücke:
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20+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPP039N04LGXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 31000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 156 Stücke:
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IPP039N04LGXKSA1 404ipb039n04l_rev1.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf
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IPP039N04LGXKSA1 IPB039N04L_rev1.2.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f14ac947132
IPP039N04LGXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LG-DTE.pdf
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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20+4.26 EUR
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