IPP039N04LGXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP039N04LGXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP039N04LGXKSA1 nach Preis ab 0.86 EUR bis 2.38 EUR
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IPP039N04LGXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP039N04LGXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A On-state resistance: 3.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 94W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO220-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP039N04LGXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A On-state resistance: 3.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 94W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO220-3 |
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IPP039N04LGXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP039N04LGXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V |
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IPP039N04LGXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP039N04LGXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPP039N04LGXKSA1 Produktcode: 202351
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP039N04LGXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP039N04LGXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
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