Technische Details IPP039N10N5AKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP039N10N5AKSA1 nach Preis ab 3.28 EUR bis 8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IPP039N10N5AKSA1 | Infineon Technologies |
 MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS |
auf Bestellung 622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP039N10N5AKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V |
auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP039N10N5AKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP039N10N5AKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.25 EUR |
| 25+ | 4.05 EUR |
| 100+ | 3.71 EUR |
| 500+ | 3.28 EUR |
| IPP039N10N5AKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 8 EUR |
| 50+ | 3.9 EUR |
| 100+ | 3.71 EUR |
| IPP039N10N5AKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 8 EUR |