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IPP040N06N3GXKSA1 Transistor

Produktcode: 202066
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.24 EUR
151+1.15 EUR
500+1.04 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.67 EUR
143+1.19 EUR
152+1.07 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
376+1.76 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 741731 Stücke:
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376+1.76 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
10000+1.23 EUR
100000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.62 EUR
53+1.62 EUR
57+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.53 EUR
99+1.76 EUR
111+1.54 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP040N06N3 G-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+2.89 EUR
100+1.96 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.49 EUR
2500+1.4 EUR
5000+1.33 EUR
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON INFNS17005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.68 EUR
103+2.25 EUR
128+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
50+1.93 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+1.24 EUR
151+1.15 EUR
500+1.04 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+1.67 EUR
143+1.19 EUR
152+1.07 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
376+1.76 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 741731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
376+1.76 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
10000+1.23 EUR
100000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3G-DTE.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
auf Bestellung 324 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
33+2.62 EUR
53+1.62 EUR
57+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1430 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
50+3.53 EUR
99+1.76 EUR
111+1.54 EUR
500+1.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
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AnzahlPrivatkunde
1+4.52 EUR
10+2.89 EUR
100+1.96 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.49 EUR
2500+1.4 EUR
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IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
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6+3.97 EUR
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