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IPP040N06N3GXKSA1 Transistor

Produktcode: 202066
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2016 Stücke:
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167+1.04 EUR
177+0.96 EUR
500+0.89 EUR
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2024 Stücke:
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144+1.2 EUR
169+0.99 EUR
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auf Bestellung 1090 Stücke:
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376+1.71 EUR
500+1.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 376 Stücke
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auf Bestellung 1430 Stücke:
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49+3.52 EUR
90+1.89 EUR
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500+1.34 EUR
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies infineon_applicationnote_package_recommendations_assembly_topackages_applicationnotes_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 456 Stücke:
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1+3.92 EUR
10+1.92 EUR
100+1.7 EUR
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 29 Stücke:
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6+4.16 EUR
10+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON INFNS17005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 353 Stücke:
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54+4.68 EUR
103+2.27 EUR
127+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 192 Stücke:
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IPP040N06N3GXKSA1 ipb037n06n3g_rev1.01.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2016 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
167+1.04 EUR
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IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2024 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
144+1.2 EUR
169+0.99 EUR
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IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+3.52 EUR
90+1.89 EUR
106+1.57 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1430 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
49+3.52 EUR
90+1.84 EUR
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MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3
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Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
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IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 353 Stücke:
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IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 192 Stücke:
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