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IPP040N06NF2SAKMA1

Infineon-IPP040N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60c2843c86
Produktcode: 202353
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies infineonipp040n06nf2sdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies infineonipp040n06nf2sdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 6716 Stücke:
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468+1.42 EUR
520+1.25 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 468 Stücke
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IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP040N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60c2843c86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.81 EUR
69+1.25 EUR
82+1.05 EUR
100+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP040N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60c2843c86 Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
auf Bestellung 1159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
50+1.61 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
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IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP040N06NF2S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 2137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2 EUR
100+1.7 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.21 EUR
5000+1.06 EUR
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IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 INFINEON 3770289.pdf Description: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 3500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.02 EUR
104+2.24 EUR
117+1.84 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IPP040N06NF2SAKMA1 infineonipp040n06nf2sdatasheetv0203en.pdf
IPP040N06NF2SAKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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IPP040N06NF2SAKMA1 infineonipp040n06nf2sdatasheetv0203en.pdf
IPP040N06NF2SAKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
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IPP040N06NF2SAKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.36 EUR
50+1.61 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.06 EUR
10+2 EUR
100+1.7 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.21 EUR
5000+1.06 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 3500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
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