IPP040N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
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| Anzahl | Preis |
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| 228+ | 1.98 EUR |
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Technische Details IPP040N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP040N08NF2SAKMA1 nach Preis ab 1.29 EUR bis 4.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPP040N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
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IPP040N08NF2SAKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPP040N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP040N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
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| IPP040N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
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| IPP040N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
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| IPP040N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N08NF2SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
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