Technische Details IPP041N04NGXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPP041N04NGXKSA1 nach Preis ab 0.86 EUR bis 3.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP041N04NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3 Mounting: THT Power dissipation: 94W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 80A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 4.1mΩ |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 764000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 556 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP041N04NGXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 17 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP041N04NGXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 610+ | 1.08 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| 10000+ | 0.86 EUR |
| IPP041N04NGXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 2.02 EUR |
| 75+ | 1.14 EUR |
| 84+ | 1.02 EUR |
| 91+ | 0.94 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| IPP041N04NGXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 764000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 2.76 EUR |
| IPP041N04NGXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.89 EUR |
| 50+ | 1.38 EUR |
| 100+ | 1.23 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| IPP041N04NGXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 3.82 EUR |
| IPP041N04NGXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPP041N04NGXKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)