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IPP052N08N5AKSA1

IPP052N08N5AKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp052n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624ad04ef9014ade.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP052N08N5AKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 4600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPP052N08N5AKSA1 IPP052N08N5AKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP052N08N5_DS_v02_00_EN-1731989.pdf MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3
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IPP052N08N5AKSA1 IPP052N08N5AKSA1 INFINEON INFN-S-A0000250431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 4600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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MSL: -
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Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3
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IPP052N08N5AKSA1
Hersteller: INFINEON
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 243 Stücke:
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