IPP055N03LGXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP055N03LGXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP055N03LGXKSA1 nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.32 EUR
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IPP055N03LGXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP055N03LGXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP055N03LGXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Power dissipation: 68W Case: PG-TO220-3-1 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP055N03LGXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Power dissipation: 68W Case: PG-TO220-3-1 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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IPP055N03LGXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP055N03LGXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3 |
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IPP055N03LGXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPP055N03LGXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP055N03LGXKSA1 Produktcode: 202356
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IPP055N03LGXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V |
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