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IPP075N15N3GXKSA1

Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad&redirId=133460
Produktcode: 122947
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad&redirId=133460 Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
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2+10.83 EUR
10+7.22 EUR
50+5.68 EUR
100+5.18 EUR
500+4.31 EUR
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IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies infineon_ipp075n15n3_ds_en.pdf MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 4716 Stücke:
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1+11.3 EUR
10+7.41 EUR
100+5.57 EUR
500+4.71 EUR
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IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 494 Stücke:
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21+11.92 EUR
41+5.76 EUR
100+5.12 EUR
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IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP075N15N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 392 Stücke:
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IPP075N15N3GXKSA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPP075N15N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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AnzahlPrivatkunde
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IPP075N15N3GXKSA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPP075N15N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP075N15N3GXKSA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPP075N15N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP075N15N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP075N15N3GXKSA1 Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad&redirId=133460
IPP075N15N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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IPP075N15N3GXKSA1 INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP075N15N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 494 Stücke:
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IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3G-DTE.pdf
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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