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IPP076N12N3GXKSA1

IPP076N12N3GXKSA1 Infineon Technologies

3870ipp_i076n12n3g_rev2.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP076N12N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V.

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IPP076N12N3GXKSA1 IPP076N12N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 3870ipp_i076n12n3g_rev2.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V
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