IPP076N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 79A; 214W; PG-TO220-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 79A
On-state resistance: 7.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 15+ | 4.76 EUR |
| 25+ | 3.35 EUR |
| 100+ | 3.32 EUR |
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Technische Details IPP076N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP076N15N5AKSA1 nach Preis ab 3.66 EUR bis 8.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 79A; 214W; PG-TO220-3 Drain-source voltage: 150V Drain current: 79A On-state resistance: 7.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 49nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO220-3 |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 5010 Stücke: Lieferzeit 192-196 Tag (e) |
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IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP076N15N5AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10 Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V |
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