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IPP083N10N5

IPP083N10N5 Infineon Technologies

878879502259246dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4624a75e5f.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP083N10N5 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 73A; Idm: 292A; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 73A, Case: TO220, On-state resistance: 8.3mΩ, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 292A, Gate charge: 30nC.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP083N10N5 IPP083N10N5 Infineon Technologies Infineon_IPP083N10N5_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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IPP083N10N5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 73A; Idm: 292A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Case: TO220
On-state resistance: 8.3mΩ
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 292A
Gate charge: 30nC
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IPP083N10N5 Infineon_IPP083N10N5_DS_v02_01_EN.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 73A; Idm: 292A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Case: TO220
On-state resistance: 8.3mΩ
Kind of channel: enhancement
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