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IPP083N10N5AKSA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP083N10N5AKSA1 IPP083N10N5AKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 878879502259246dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4624a75e5f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP083N10N5AKSA1 IPP083N10N5AKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 878879502259246dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4624a75e5f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP083N10N5AKSA1 IPP083N10N5AKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 878879502259246dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4624a75e5f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP083N10N5AKSA1 IPP083N10N5AKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPP083N10N5_DS_v02_01_EN-1731990.pdf MOSFETs N-Ch 100V 73A TO220-3
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IPP083N10N5AKSA1 IPP083N10N5AKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 878879502259246dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4624a75e5f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP083N10N5AKSA1 IPP083N10N5AKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP083N10N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac56a3779202b Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V
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IRFB7440PBF
Produktcode: 150169
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRLB8743PBF
Produktcode: 124979
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IRLB8743PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5110/36
JHGF: THT
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IRLB3813PBF
Produktcode: 113437
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IRLB3813PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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IR4427PBF
Produktcode: 74249
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IR4427PBF
Hersteller: Infineon

DIP-8
Gate Drivers Dual Lw Sd Drvr
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
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