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IPP086N10N3 G

IPP086N10N3 G Infineon Technologies

Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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Technische Details IPP086N10N3 G Infineon Technologies

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP086N10N3G Infineon technologies INFNS30358-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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