IPP086N10N3 G

IPP086N10N3 G Infineon Technologies


Infineon_IPP086N10N3G_DS_v02_06_en-1732006.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 563 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.1 EUR
10+ 2.52 EUR
100+ 2.06 EUR
500+ 1.74 EUR
1000+ 1.37 EUR
5000+ 1.33 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPP086N10N3 G Infineon Technologies

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8.

Weitere Produktangebote IPP086N10N3 G

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IPP086N10N3G Hersteller : Infineon technologies INFNS30358-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IPP086N10N3G IPP086N10N3G Hersteller : Infineon Technologies INFNS30358-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Produkt ist nicht verfügbar