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IPP086N10N3 G

IPP086N10N3 G Infineon Technologies

Infineon_IPP086N10N3G_DS_v02_06_en-1732006.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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Technische Details IPP086N10N3 G Infineon Technologies

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8.

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IPP086N10N3G Hersteller : Infineon technologies INFNS30358-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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IPP086N10N3G IPP086N10N3G Hersteller : Infineon Technologies INFNS30358-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
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