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IPP111N15N3GXKSA1

IPP111N15N3GXKSA1 Infineon Technologies

187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP111N15N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP111N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
auf Bestellung 3883 Stücke:
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Anzahl Preis
4+5.46 EUR
50+3.31 EUR
100+3.18 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002955147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP111N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP111N15N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f IPP111N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 226 Stücke:
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14+5.42 EUR
17+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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