Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP114N12N3GXKSA1
IPP114N12N3GXKSA1

IPP114N12N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp114n12n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7877.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPP114N12N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP114N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 9800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm.

Weitere Produktangebote IPP114N12N3GXKSA1 nach Preis ab 2.25 EUR bis 6.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp114n12n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7877.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp114n12n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7877.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP114N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 11.4mΩ
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.58 EUR
38+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP114N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a78772727cf1 Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.34 EUR
50+2.64 EUR
100+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON INFNS17165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP114N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 9800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.32 EUR
80+2.93 EUR
100+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP114N12N3GXKSA1 ipp114n12n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7877.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP114N12N3GXKSA1 ipp114n12n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7877.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3G-DTE.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 11.4mΩ
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+2.58 EUR
38+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a78772727cf1
IPP114N12N3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.34 EUR
50+2.64 EUR
100+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP114N12N3GXKSA1 INFNS17165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP114N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP114N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 9800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+6.32 EUR
80+2.93 EUR
100+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH