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IPP120N10S405AKSA1

IPP120N10S405AKSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPP120N10S405AKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP120N10S405AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 190W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP120N10S405AKSA1 IPP120N10S405AKSA1 Infineon Technologies ippbi120n10s405datasheet10infineon.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
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IPP120N10S405AKSA1 IPP120N10S405AKSA1 INFINEON 3974500.pdf Description: INFINEON - IPP120N10S405AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 120A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
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