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IPP120N20NFDAKSA1 Infineon Technologies

Name: IPP120N20NFDAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 7673982-5
Price: 148.93 EUR
Availability: InStock

4743ds_ipp120n20nfd_2_0.pdffolderiddb3a304325305e6d012596c6ca7b290afi.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Technische Details IPP120N20NFDAKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP120N20NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0106 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPP120N20NFDAKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP120N20NFDAKSA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC912B6685611C&compId=IPP120N20NFD-DTE.pdf?ci_sign=5d8d5dc96917148dec9e37cbde86228c5d8b765b

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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MOSFETs N-Ch 200V 84A TO220-3

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Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP120N20NFDAKSA1

Hersteller : INFINEON

INFNS29197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IPP120N20NFDAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0106 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IPP120N20NFDAKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

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Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 84A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V

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