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IPP120P04P4L03AKSA2

Name: IPP120P04P4L03AKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 8330637-5
Price: 1605.00 EUR
Availability: InStock

Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f

Produktcode: 203742

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IPP120P04P4L03AKSA2

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-ipp_b_i120p04p4l_03-datasheet-v01_02-en.pdf

Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101

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Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101

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Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101

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Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101

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Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101

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IPP120P04P4L03AKSA2

Hersteller : Infineon Technologies

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MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

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IPP120P04P4L03AKSA2

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IPP120P04P4L03AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101

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IPP120P04P4L03AKSA2

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

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100pF 1000V NP0 5% 1206 3k/reel (1206N101J102N3-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 43263

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100pF 1000V NP0 5% 1206 3k/reel (1206N101J102N3-Hitano) (Keramikkondensator SMD)

Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 100pF
Nennspannung: 1000V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000

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18pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N180J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1304

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18pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N180J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)

Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 18pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000

verfügbar: 3654 St.

1200 St. - stock Köln
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