Technische Details IPP12CN10LGXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; 125W; PG-TO220-3, Mounting: THT, Technology: OptiMOS™ 2, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PG-TO220-3, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 12mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 69A, Drain-source voltage: 100V, Power dissipation: 125W.
Weitere Produktangebote IPP12CN10LGXKSA1 nach Preis ab 1.37 EUR bis 3.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies |
 MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 OptiMOS 2 |
auf Bestellung 1326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 |
auf Bestellung 949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP12CN10LGXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 OptiMOS 2
MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 OptiMOS 2
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 2.2 EUR |
| 10+ | 1.94 EUR |
| 100+ | 1.69 EUR |
| 250+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| IPP12CN10LGXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
Description: MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 3.94 EUR |
| 10+ | 3.53 EUR |
| 100+ | 2.84 EUR |
| 500+ | 2.33 EUR |