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IPP12CN10LGXKSA1

IPP12CN10LGXKSA1 Infineon Technologies

ipp12cn10l_rev1.02.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP12CN10LGXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP12CN10LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.84V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPP12CN10LGXKSA1 IPP12CN10LGXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp12cn10l_rev1.02.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP12CN10LGXKSA1 IPP12CN10LGXKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS16594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP12CN10LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.84V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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