IPP139N08N3G Infineon Technologies


INFN-S-A0001299567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
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Technische Details IPP139N08N3G Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IPP139N08N3G ROCHESTER ELECTRONICS INFN-S-A0001299567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP139N08N3G - IPP139N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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