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IPP200N15N3GXKSA1 Infineon Technologies

Name: IPP200N15N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 7091103-5
Price: 146.06 EUR
Availability: InStock

377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Technische Details IPP200N15N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP200N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPP200N15N3GXKSA1 nach Preis ab 1.33 EUR bis 3.63 EUR

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IPP200N15N3GXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf

MOSFETs N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP200N15N3GXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be

Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V

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50+	1.8 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.62 EUR

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP200N15N3GXKSA1

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IPP200N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IPP200N15N3GXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP200N15N3GXKSA1

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Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP200N15N3GXKSA1

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pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC83BDC316811C&compId=IPP200N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=38cb5325374ca3da97dcbd9df290e4f9562e6e8f

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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