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IPP220N25NFDAKSA1

IPP220N25NFDAKSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP220N25NFDAKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 61A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7076 pF @ 125 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPP220N25NFDAKSA1 IPP220N25NFDAKSA1 Infineon Technologies infineonipp220n25nfddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP220N25NFDAKSA1 IPP220N25NFDAKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP220N25NFD_DS_v02_00_en-1227180.pdf MOSFETs N-Ch 250V 61A TO220-3
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7076 pF @ 125 V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
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